Transistor de canal N 2SK2039, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 300uA. On-resistência Rds On: 1.9 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 690pF. Custo): 120pF. Diodo Trr (mín.): 1450 ns. Função: alta velocidade. Id(im): 15A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 210 ns. Td(ligado): 70 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 01:03