Transistor de canal N 2SK1358, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 300uA. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1300pF. Custo): 180pF. Função: High Speed, tr--25nS tf--20nS. IDss (min): -. Id(im): 27A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo MOS II.5. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 01:03