Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - 2SK1118-PMC

Transistor de canal N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - 2SK1118-PMC
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Transistor de canal N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - 2SK1118-PMC. Transistor de canal N, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 300uA. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1400pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 24A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Spec info: Low Leakage Current Low Drain Source ON resistance. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante Pmc. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 03:25.

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Transistor de canal N, 3A, 6A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=2...
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Transistor de canal N, 3A, 6A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1300pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Proteção GS: sim. Id(im): 24A. Marcação na caixa: K2545. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 45 ns. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V
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Transistor de canal N, 3A, 6A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1300pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Proteção GS: sim. Id(im): 24A. Marcação na caixa: K2545. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 45 ns. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V
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Transistor de canal N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100nA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 900pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Proteção GS: NINCS. Id(im): 32A. IDss (min): 10nA. Marcação na caixa: K2645. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V
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Transistor de canal N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100nA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 900pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Proteção GS: NINCS. Id(im): 32A. IDss (min): 10nA. Marcação na caixa: K2645. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V
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Transistor de canal N, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1200pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Proteção GS: NINCS. Id(im): 27A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: K1507. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 160 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V
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Transistor de canal N, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1200pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Proteção GS: NINCS. Id(im): 27A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: K1507. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 160 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V
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