STGW60V60DF

STGW60V60DF. C (pol.): 8000pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 74 ns. Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marcação na caixa: GW60V60DF. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 375W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 216 ns. Td(ligado): 57 ns. Carcaça: TO-247. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7V. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 13:25.