Módulos IGBT

Tipo de canal: N. Função: 6 x IGBT For Power Management. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 8A. Nota: driver de motor CA trifásico. Frequência: 20kHz. Número de terminais: 24. Pd (dissipação de energia, máx.): 21.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 685 ns. Td(ligado): 605 ns. Tecnologia: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Temperatura operacional: -40...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Spec info: IC=4A TC=25°C, IC=2.5A TC=100°C. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: G60T120. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 60A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 50 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 480 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6.5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 375W. Corrente máxima do coletor (A): 150A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.9V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Carcaça (padrão JEDEC): NINCS

C (pol.): 1800pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Corrente do coletor: 60A. Ic(pulso): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marcação na caixa: H30MR5. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 330 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO247-3. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.55V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.85V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V. Função: Cozinha indutiva, fornos de microondas. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 825pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 20A. Ic(T=100°C): 14A. Marcação na caixa: GB14C40L. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 8.3 ns. Td(ligado): 1.35 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 1.3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 2.2V. Número de terminais: 3. Nota: > 6KV ESD Gate Protection. Nota: resistores integrados R1 G (75 Ohms), R2 GE (20k Ohms). Unidade de condicionamento: 50. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: sim

C (pol.): 3025pF. Custo): 245pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Corrente do coletor: 90A. Ic(pulso): 144A. Ic(T=100°C): 48A. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 165 ns. Td(ligado): 145 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AD ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.65V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Número de terminais: 3. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 760pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Função: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Corrente do coletor: 480A. Ic(pulso): 1200A. Ic(T=100°C): 200A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1630W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 226 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 650V. Tensão porta/emissor VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 9830pF. Custo): 570pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Função: IGBT de alta velocidade para comutação de 20-50kHz. Corrente do coletor: 310A. Ic(pulso): 840A. Ic(T=100°C): 140A. Marcação na caixa: IXYK140N90C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1630W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 145 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.15V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 900V. Tensão porta/emissor VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 1600pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: N. Função: 3 CH. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 100A. Ic(T=100°C): 30A. Número de terminais: 17. Dimensões: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: sim. Peso: 170g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 400 ns. Td(ligado): 70 ns. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Spec info: IFSM--350Ap (t=10ms). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 2870pF. Custo): 295pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Função: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Corrente do coletor: 70A. Ic(pulso): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Marcação na caixa: GW20NC60KD. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 164 ns. Td(ligado): 46 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 8000pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 74 ns. Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marcação na caixa: GW60V60DF. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 375W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 216 ns. Td(ligado): 57 ns. Carcaça: TO-247. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7V. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS