Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.87€ | 1.07€ |
5 - 9 | 0.82€ | 1.01€ |
10 - 24 | 0.78€ | 0.96€ |
25 - 49 | 0.74€ | 0.91€ |
50 - 87 | 0.72€ | 0.89€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.87€ | 1.07€ |
5 - 9 | 0.82€ | 1.01€ |
10 - 24 | 0.78€ | 0.96€ |
25 - 49 | 0.74€ | 0.91€ |
50 - 87 | 0.72€ | 0.89€ |
KBU8M. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 200A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Equivalentes: KBU8M, KBU807. Número de terminais: 4. Passo: 5.08x5.08mm. Dimensões: 21.5x18.3x3.4mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms), IFSM--180Ap (t=10ms). Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.
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