IXTK90P20P

IXTK90P20P. C (pol.): 12pF. Custo): 2210pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 315 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: P-Channel Enhancement Mode. Id(im): 270A. DI (T=25°C): 90A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 50uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 890W. On-resistência Rds On: 0.044 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 89 ns. Td(ligado): 32 ns. Tecnologia: PolarPTM Power MOSFET. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 22:25.