IXTH96N20P

IXTH96N20P. C (pol.): 4800pF. Custo): 1020pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 160 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: N-Channel Enhancement Mode. Id(im): 225A. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 96A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. On-resistência Rds On: 24m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 22:25.