IXGH32N60BU1

IXGH32N60BU1. C (pol.): 2700pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 120ns. Função: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Corrente do coletor: 60A. Ic(pulso): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 32A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 25 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Diodo CE: sim. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 22:25.