IXGH24N60CD1

IXGH24N60CD1. C (pol.): 1500pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Função: HiPerFAST IGBT with Diode. Corrente do coletor: 48A. Ic(pulso): 80A. Ic(T=100°C): 24A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 15 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AD ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.5V. Nota: Transistor HiPerFAST IGBT . Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 22:25.