IXFR200N10P

IXFR200N10P. C (pol.): 7600pF. Custo): 2900pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Superfície traseira eletricamente isolada. Id(im): 400A. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 133A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 0.009 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Carcaça: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Nota: tensão de isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 22:25.