IXFN520N075T2

IXFN520N075T2. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: SOT-227B (ISOTOP). Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: GigaMOS. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 480A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 48 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 80 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 41000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 940W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 22:25.