IRFD9014

IRFD9014. C (pol.): 270pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 100dB. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: FET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Id(im): 8.8A. DI (T=100°C): 0.8A. DI (T=25°C): 1.1A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. On-resistência Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 00:25.