Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.96€ | 2.41€ |
5 - 9 | 1.86€ | 2.29€ |
10 - 24 | 1.76€ | 2.16€ |
25 - 49 | 1.26€ | 1.55€ |
50 - 99 | 1.23€ | 1.51€ |
100 - 187 | 1.20€ | 1.48€ |
Quantidade | U.P | |
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1 - 4 | 1.96€ | 2.41€ |
5 - 9 | 1.86€ | 2.29€ |
10 - 24 | 1.76€ | 2.16€ |
25 - 49 | 1.26€ | 1.55€ |
50 - 99 | 1.23€ | 1.51€ |
100 - 187 | 1.20€ | 1.48€ |
IRFD120PBF. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: IRFD120PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 0.78A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 18 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Capacitância Ciss Gate [pF]: 360pF. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 00:25.
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