IRFD110PBF

Quantidade	sem IVA	IVA incl.
1 - 4	0.45€	0.55€
5 - 9	0.43€	0.53€
10 - 24	0.41€	0.50€
25 - 49	0.39€	0.48€
50 - 99	0.38€	0.47€
100 - 249	0.37€	0.46€
250 - 358	0.45€	0.55€

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Conjunto de 1

IRFD110PBF. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: IRFD110PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.9ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 180pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Carcaça (padrão JEDEC): DIP-4. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 00:25.

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