IRFBE30PBF

IRFBE30PBF. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFBE30PBF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 82 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 00:25.