IRF3711ZS

IRF3711ZS. C (pol.): 2150pF. Custo): 680pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 16 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Buck síncrono de alta frequência. Id(im): 380A. DI (T=100°C): 65A. DI (T=25°C): 92A. Idss (máx.): 150uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. On-resistência Rds On: 0.0048 Ohm. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.45V. Vgs(th) mín.: 1.55V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 21:25.