IRF3711S

IRF3711S. C (pol.): 2980pF. Custo): 1770pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 48 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: DC-DC isolado de alta frequência. Id(im): 440A. DI (T=100°C): 69A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. On-resistência Rds On: 4.7M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 17 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 21:25.