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IRF3711

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IRF3711. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 69A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 110A. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. On-resistência Rds On: 0.047 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 20V. Função: td(on) 12ns, td(off) 17ns. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 21:25.

Documentação técnica