IRF3415

IRF3415. C (pol.): 2400pF. Custo): 640pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 260 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 150A. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 43A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.0042 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 71 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 21:25.