IRF3315

IRF3315. C (pol.): 1300pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 174 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 108A. DI (T=100°C): 19A. DI (T=25°C): 27A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 136W. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 49 ns. Td(ligado): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 21:25.