IRF2903ZS

IRF2903ZS. C (pol.): 6320pF. Custo): 1980pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(im): 1020A. DI (T=100°C): 180A. DI (T=25°C): 260A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 290W. On-resistência Rds On: 0.019 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 21:25.