IRF2805

IRF2805. C (pol.): 5110pF. Custo): 1190pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Troca Rápida, Aplicações Automotivas . Id(im): 700A. DI (T=100°C): 43A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. On-resistência Rds On: 3.9M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 68 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 21:25.