Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

GBI10G

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GBI10G. Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Trifásico: 0. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 160A. Marcação na caixa: +~~-. Número de terminais: 4. Passo: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SIP / SIL. Habitação (conforme ficha técnica): 30x20x3.6mm. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 400V. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 160A. RM (máx.): 5uA. Marcação na caixa: +~~-. Equivalentes: KBJ10J. Número de terminais: 4. Passo: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SIP / SIL. Habitação (conforme ficha técnica): 30x20x3.6mm. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V
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Quantidade por caixa: 4. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 10A. IFSM: 160A. RM (máx.): 5uA. Marcação na caixa: +~~-. Equivalentes: KBJ10J. Número de terminais: 4. Passo: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SIP / SIL. Habitação (conforme ficha técnica): 30x20x3.6mm. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V
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