Fototransistores e fotodíodos (recepção)

RoHS: sim. Família de componentes: Fotodiodo PIN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 5mm (T-1 3/4). Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Comprimento de onda dominante [nm]: 900nm. Tensão de fechamento Ur[V], máx.: 20V. Faça corrente, corrente escura Ir [µA]: 5nA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±20°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 5 ns. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 5 ns. Diâmetro externo [mm]: 5mm. Comprimento externo [mm]: 9mm. Largura externa [mm]: 5.1mm. Espessura externa [mm]: 5.1mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

RoHS: NINCS. Família de componentes: Fotodiodo PIN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 5mm (T-1 3/4). lapos. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Comprimento de onda dominante [nm]: 850nm. Tensão de fechamento Ur[V], máx.: 20V. Faça corrente, corrente escura Ir [µA]: 10nA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±75°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 5 ns. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 5 ns. Diâmetro externo [mm]: 5mm. Comprimento externo [mm]: 5mm. Largura externa [mm]: 5.9mm. Espessura externa [mm]: 5.9mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

RoHS: sim. Família de componentes: Fotodiodo PIN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Comprimento de onda dominante [nm]: 900nm. Tensão de fechamento Ur[V], máx.: 32V. Faça corrente, corrente escura Ir [µA]: 30nA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±60°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 20 ns. Diâmetro externo [mm]: 5.1mm. Comprimento externo [mm]: 6.9mm. Largura externa [mm]: 5.1mm. Espessura externa [mm]: 5.1mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

Nota: 860nm 24°

RoHS: sim. Família de componentes: Foto Transistor. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 3mm (T-1). Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Comprimento de onda dominante [nm]: 860nm. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15mA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±12°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 8us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 8us. Diâmetro externo [mm]: 3mm. Comprimento externo [mm]: 5.2mm. Largura externa [mm]: 4mm. Espessura externa [mm]: 4mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

Família de componentes: fototransistor infravermelho. Comprimento de onda: 730-1120nm. ângulo de detecção: 24°

RoHS: sim. Família de componentes: Foto Transistor. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 3mm (T-1). Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Comprimento de onda dominante [nm]: 900nm. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15mA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±12°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 7us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 7us. Diâmetro externo [mm]: 3mm. Comprimento externo [mm]: 5.2mm. Largura externa [mm]: 4mm. Espessura externa [mm]: 4mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C

Corrente do coletor: 15mA. Ic(pulso): 75mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: PLCC. Habitação (conforme ficha técnica): PLCC-2. Temperatura operacional: -40...+100°C. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Número de terminais: 2

RoHS: sim. Família de componentes: Foto Transistor. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 3mm (T-1). Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Comprimento de onda dominante [nm]: 570nm. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 6V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20mA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±30°. Diâmetro externo [mm]: 3mm. Comprimento externo [mm]: 4.4mm. Largura externa [mm]: 3.2mm. Espessura externa [mm]: 3.2mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +85°C

RoHS: sim. Família de componentes: Foto Transistor. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: 3.5x2.8x1.75mm. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 2. Comprimento de onda dominante [nm]: 940nm. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 70V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±60°. Tempo de ativação tr [µseg.]: 6us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 6us. Comprimento externo [mm]: 3.5mm. Largura externa [mm]: 2.8mm. Espessura externa [mm]: 1.75mm. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C