DSEI2X101-06A, 2x96A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 600V

DSEI2X101-06A, 2x96A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 600V

Quantidade
Preço unitário
1-3
41.15€
4-7
39.18€
8-11
37.68€
12-19
36.15€
20+
33.57€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 3

DSEI2X101-06A, 2x96A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 600V. Corrente direta (AV): 2x96A. IFSM: 1200A. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 600V. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Função: diodo duplo de recuperação rápida. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: parafuso. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Quantidade por caixa: 2. RM (min): 1mA. RM (máx.): 20mA. RoHS: sim. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Tecnologia: Diodo Epitaxial. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1.17V. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Unidade de condicionamento: 10. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 11:43

Documentação técnica (PDF)
DSEI2X101-06A
24 parâmetros
Corrente direta (AV)
2x96A
IFSM
1200A
Carcaça
ISOTOP ( SOT227B )
Habitação (conforme ficha técnica)
ISOTOP ( SOT227B )
VRRM
600V
Condicionamento
tubo de plástico
Diodo Trr (mín.)
35 ns
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Função
diodo duplo de recuperação rápida
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
parafuso
Número de terminais
4
Pd (dissipação de energia, máx.)
250W
Quantidade por caixa
2
RM (min)
1mA
RM (máx.)
20mA
RoHS
sim
Spec info
1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C
Tecnologia
Diodo Epitaxial
Temperatura operacional
-40...+150°C
Tensão direta Vf (min)
1.17V
Tensão limite Vf (máx.)
1.25V
Unidade de condicionamento
10
Produto original do fabricante
IXYS

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