DSEI2X101-12A, 2x91A, 900A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 1200V

DSEI2X101-12A, 2x91A, 900A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 1200V

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DSEI2X101-12A, 2x91A, 900A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 1200V. Corrente direta (AV): 2x91A. IFSM: 900A. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Função: diodo duplo de recuperação rápida. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: parafuso. Nota: 900App/10ms, 45°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Prazo de entrega: KB. Quantidade por caixa: 2. RM (min): 1.5mA. RM (máx.): 15mA. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C. Tecnologia: Diodo Epitaxial. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1.61V. Tensão limite Vf (máx.): 1.87V. Unidade de condicionamento: 10. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 11:43

Documentação técnica (PDF)
DSEI2X101-12A
24 parâmetros
Corrente direta (AV)
2x91A
IFSM
900A
Carcaça
ISOTOP ( SOT227B )
Habitação (conforme ficha técnica)
ISOTOP ( SOT227B )
VRRM
1200V
Condicionamento
tubo de plástico
Diodo Trr (mín.)
40 ns
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Função
diodo duplo de recuperação rápida
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
parafuso
Nota
900App/10ms, 45°C
Pd (dissipação de energia, máx.)
250W
Prazo de entrega
KB
Quantidade por caixa
2
RM (min)
1.5mA
RM (máx.)
15mA
Spec info
810Ap t=10ms, TVJ=150°C
Tecnologia
Diodo Epitaxial
Temperatura operacional
-40...+150°C
Tensão direta Vf (min)
1.61V
Tensão limite Vf (máx.)
1.87V
Unidade de condicionamento
10
Produto original do fabricante
IXYS