Ubr [V] @ Ibr [A]: 20V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 21V @ 1mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 17.1V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: silício. IFSM: 200A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5 kW. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 5V. Tensão direta Vf (min): 3.5V. VRRM: 20V