ABS15G
| Quantidade (Conjunto de 5) | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 2 | 0.80€ | 0.98€ |
| 3 - 4 | 0.76€ | 0.93€ |
| 5 - 9 | 0.72€ | 0.89€ |
| 10 - 19 | 0.68€ | 0.84€ |
| Quantidade (Conjunto de 5) | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 2 | 0.80€ | 0.98€ |
| 3 - 4 | 0.76€ | 0.93€ |
| 5 - 9 | 0.72€ | 0.89€ |
| 10 - 19 | 0.68€ | 0.84€ |
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ABS15G. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 1.6...2A. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): SMD-4. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.95V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms). Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.
Produtos equivalentes :
ABS15M
Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificador...
Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 1.6...2A. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sim. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): SMD-4. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.95V. VRRM: 1000V
Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 1.6...2A. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sim. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): SMD-4. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.95V. VRRM: 1000V
ABS15J
Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificador...
Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 1.6...2A. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Passo: 5.08mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): SMD-4. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.95V. VRRM: 600V. Número de terminais: 4. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms)
Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Material semicondutor: silício. Função: Ponte retificadora. Corrente direta (AV): 1.6...2A. IFSM: 50A. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Passo: 5.08mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): SMD-4. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 0.95V. VRRM: 600V. Número de terminais: 4. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms)
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