US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V

US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V

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Mín.: 10

US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V. Corrente direta (AV): 1A. IFSM: 30A. Habitação (conforme ficha técnica): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Condicionamento: rolo. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Equivalentes: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Função: Ultrafast silicon rectifier diode. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: IFSM--30Ap. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1.7V. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Unidade de condicionamento: 5000. Produto original do fabricante: Smc. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 20:52

Documentação técnica (PDF)
US1M
21 parâmetros
Corrente direta (AV)
1A
IFSM
30A
Habitação (conforme ficha técnica)
SMA (4.6x2.8 mm)
VRRM
1000V
Condicionamento
rolo
Diodo Trr (mín.)
75 ns
Equivalentes
US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Função
Ultrafast silicon rectifier diode
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
2
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
IFSM--30Ap
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão direta Vf (min)
1.7V
Tensão limite Vf (máx.)
1.7V
Unidade de condicionamento
5000
Produto original do fabricante
Smc
Quantidade mínima
10