TS4148RYG, SMD 0805, 150mA, 0.15A, 500mA, 100V

TS4148RYG, SMD 0805, 150mA, 0.15A, 500mA, 100V

Quantidade
Preço unitário
10-19
0.0335€
20-99
0.0239€
100-499
0.0199€
500-999
0.0176€
1000+
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Mín.: 10

TS4148RYG, SMD 0805, 150mA, 0.15A, 500mA, 100V. Carcaça: SMD 0805. Carcaça (padrão JEDEC): -. Corrente direta (AV): 150mA. Corrente direta [A]: 0.15A. IFSM: 500mA. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Família de componentes: Diodo de pequeno sinal Montagem em superfície (SMD). Função: Diodos de alta velocidade. Ism [A]: 2A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Número de terminais: 2. Outro nome: IN4148. Quantidade por caixa: 1. RM (min): 25nA. RM (máx.): 50uA. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Temperatura máxima: +175°C.. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 75V. Tensão direta Vf (min): 1V. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 4 ns. [V]: 1V @ 100mA. Produto original do fabricante: Taiwan Semiconductor. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 17/12/2025, 21:11

TS4148RYG
32 parâmetros
Carcaça
SMD 0805
Corrente direta (AV)
150mA
Corrente direta [A]
0.15A
IFSM
500mA
VRRM
100V
Cj
4pF
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de fuga no fechamento Ir [A]
5uA
Diodo Trr (mín.)
4 ns
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Família de componentes
Diodo de pequeno sinal Montagem em superfície (SMD)
Função
Diodos de alta velocidade
Ism [A]
2A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
2
Número de terminais
2
Outro nome
IN4148
Quantidade por caixa
1
RM (min)
25nA
RM (máx.)
50uA
RoHS
sim
Spec info
Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A
Temperatura máxima
+175°C.
Temperatura operacional
-65...+175°C
Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]
75V
Tensão direta Vf (min)
1V
Tensão limite Vf (máx.)
1V
Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]
4 ns
[V]
1V @ 100mA
Produto original do fabricante
Taiwan Semiconductor
Quantidade mínima
10