Transistor NPN ZTX851, 5A, TO-92, TO-92, 60V

Transistor NPN ZTX851, 5A, TO-92, TO-92, 60V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.32€
5-49
1.09€
50-99
0.92€
100+
0.81€
Quantidade em estoque: 80

Transistor NPN ZTX851, 5A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. FT: 130 MHz. Função: Saturação muito baixa VBE(sat)0,92V. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 20A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.58W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: SILICON PLANAR. Temperatura operacional: -55...+200°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tf(min): 45 ns. Tf(máx.): 1100 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Vebo: 6V. Produto original do fabricante: Diodes Inc. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:05

Documentação técnica (PDF)
ZTX851
24 parâmetros
Corrente do coletor
5A
Carcaça
TO-92
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão do coletor/emissor Vceo
60V
FT
130 MHz
Função
Saturação muito baixa VBE(sat)0,92V
Ganho máximo de hFE
300
Ganho mínimo de hFE
100
Ic(pulso)
20A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
1.58W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Tecnologia
SILICON PLANAR
Temperatura operacional
-55...+200°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.2V
Tf(min)
45 ns
Tf(máx.)
1100 ns
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
150V
Vebo
6V
Produto original do fabricante
Diodes Inc.