Transistor NPN TIP35C, TO-247, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V

Transistor NPN TIP35C, TO-247, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V

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1-4
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Transistor NPN TIP35C, TO-247, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V. Carcaça: TO-247. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25A. Corrente do coletor: 25A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: não. Carcaça (padrão JEDEC): -. Condicionamento: tubus. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 25A. Custo): 35pF. Data de produção: 1450. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. FT: 3 MHz. Família de componentes: transistor de potência NPN. Frequência de corte ft [MHz]: -. Frequência máxima: 3MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 50A. Marcação do fabricante: TIP33C. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Polaridade: bipolar. Potência: 125W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) TIP36C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensão (colecionador - emissor): 100V. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:08

Documentação técnica (PDF)
TIP35C
38 parâmetros
Carcaça
TO-247
Tensão coletor-emissor VCEO
100V
Corrente do coletor Ic [A], máx.
25A
Corrente do coletor
25A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247
Tensão do coletor/emissor Vceo
100V
BE diodo
não
Condicionamento
tubus
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente do coletor Ic [A]
25A
Custo)
35pF
Data de produção
1450
Diodo CE
não
Dissipação máxima Ptot [W]
125W
FT
3 MHz
Família de componentes
transistor de potência NPN
Frequência máxima
3MHz
Função
Transistores de potência complementares
Ganho máximo de hFE
50
Ganho mínimo de hFE
25
Ic(pulso)
50A
Marcação do fabricante
TIP33C
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
125W
Polaridade
bipolar
Potência
125W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) TIP36C
Temperatura máxima
+150°C.
Tensão (colecionador - emissor)
100V
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
100V
Tensão de saturação VCE(sat)
1.8V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
100V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics

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