Transistor NPN STN851, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V

Transistor NPN STN851, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.60€
5-49
0.48€
50-99
0.42€
100-499
0.38€
500+
0.32€
Quantidade em estoque: 967

Transistor NPN STN851, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: não. Condicionamento: rolo. Custo): 215pF. Diodo CE: não. FT: 130 MHz. Função: Transistor de potência NPN de comutação rápida de baixa tensão. Ganho máximo de hFE: 350. Ganho mínimo de hFE: 30. Ic(pulso): 10A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.32V. Tipo de transistor: NPN. Unidade de condicionamento: 1000. Vcbo: 150V. Vebo: 7V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24

STN851
26 parâmetros
Corrente do coletor
5A
Carcaça
SOT-223 ( TO-226 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-223
Tensão do coletor/emissor Vceo
60V
BE diodo
não
Condicionamento
rolo
Custo)
215pF
Diodo CE
não
FT
130 MHz
Função
Transistor de potência NPN de comutação rápida de baixa tensão
Ganho máximo de hFE
350
Ganho mínimo de hFE
30
Ic(pulso)
10A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
1.6W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.32V
Tipo de transistor
NPN
Unidade de condicionamento
1000
Vcbo
150V
Vebo
7V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics