Transistor NPN PUMD2-R-P-R, SOT-363, 100mA
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Transistor NPN PUMD2-R-P-R, SOT-363, 100mA. Carcaça: SOT-363. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Carcaça (padrão JEDEC): -. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Família de componentes: par de transistores NPN e PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 180 MHz. Marcação do fabricante: D*2. Número de terminais: 6. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Produto original do fabricante: Nexperia. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:22
PUMD2-R-P-R
12 parâmetros
Carcaça
SOT-363
Corrente do coletor Ic [A], máx.
100mA
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Dissipação máxima Ptot [W]
0.3W
Família de componentes
par de transistores NPN e PNP
Frequência de corte ft [MHz]
180 MHz
Marcação do fabricante
D*2
Número de terminais
6
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
50V
Produto original do fabricante
Nexperia