Transistor NPN PMBT4403, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V

Transistor NPN PMBT4403, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V

Quantidade
Preço unitário
10-49
0.0683€
50-99
0.0596€
100-499
0.0535€
500+
0.0450€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 2847
Mín.: 10

Transistor NPN PMBT4403, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corrente do coletor: 600mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: não. Condicionamento: rolo. Custo): 29pF. Diodo CE: não. FT: 200 MHz. Função: Comutação de alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 800mA. Marcação na caixa: *T2, P2T, T2T, W2T. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD P2T, T2T, W2T, transistor complementar (par) PMBT4401. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tf(min): 40 ns. Tf(máx.): 350 ns. Tipo de transistor: PNP. Unidade de condicionamento: 3000. Vcbo: 40V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Nxp Semiconductors. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:22

Documentação técnica (PDF)
PMBT4403
31 parâmetros
Corrente do coletor
600mA
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão do coletor/emissor Vceo
40V
BE diodo
não
Condicionamento
rolo
Custo)
29pF
Diodo CE
não
FT
200 MHz
Função
Comutação de alta velocidade
Ganho máximo de hFE
300
Ganho mínimo de hFE
100
Ic(pulso)
800mA
Marcação na caixa
*T2, P2T, T2T, W2T
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.25W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
serigrafia/código SMD P2T, T2T, W2T, transistor complementar (par) PMBT4401
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.4V
Tf(min)
40 ns
Tf(máx.)
350 ns
Tipo de transistor
PNP
Unidade de condicionamento
3000
Vcbo
40V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
Nxp Semiconductors
Quantidade mínima
10

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