Transistor NPN PMBT4401, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V

Transistor NPN PMBT4401, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V

Quantidade
Preço unitário
10-24
0.0811€
25-49
0.0730€
50-99
0.0690€
100+
0.0536€
Quantidade em estoque: 51
Mín.: 10

Transistor NPN PMBT4401, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: não. C (pol.): 30pF. Custo): 8pF. Diodo CE: não. FT: 250 MHz. Função: Comutação de alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 0.8A. Marcação na caixa: p2X, t2X, W2X. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: serigrafia/código SMD P2X, T2X, W2X, transistor complementar (par) PMBT4401. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.75V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Produto original do fabricante: Nxp Semiconductors. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:22

Documentação técnica (PDF)
PMBT4401
27 parâmetros
Corrente do coletor
0.6A
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23
Tensão do coletor/emissor Vceo
40V
BE diodo
não
C (pol.)
30pF
Custo)
8pF
Diodo CE
não
FT
250 MHz
Função
Comutação de alta velocidade
Ganho máximo de hFE
300
Ganho mínimo de hFE
100
Ic(pulso)
0.8A
Marcação na caixa
p2X, t2X, W2X
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.25W
Quantidade por caixa
1
Spec info
serigrafia/código SMD P2X, T2X, W2X, transistor complementar (par) PMBT4401
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.4V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
0.75V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Produto original do fabricante
Nxp Semiconductors
Quantidade mínima
10