Transistor NPN MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V

Transistor NPN MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.45€
5-9
0.34€
10-24
0.30€
25+
0.27€
Quantidade em estoque: 2893

Transistor NPN MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: não. Diodo CE: não. FT: kHz. Função: transistor com rede de resistores de polarização. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 60. Marcação na caixa: 8B. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: B1GBCFLL0035. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 338mW. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 8B. Tecnologia: Transistores Digitais (BRT). Temperatura: +150°C. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:07

MUN2212
24 parâmetros
Corrente do coletor
0.1A
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm )
Tensão do coletor/emissor Vceo
50V
BE diodo
não
Diodo CE
não
FT
kHz
Função
transistor com rede de resistores de polarização
Ganho máximo de hFE
100
Ganho mínimo de hFE
60
Marcação na caixa
8B
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Nota
B1GBCFLL0035
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
338mW
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
serigrafia/código SMD 8B
Tecnologia
Transistores Digitais (BRT)
Temperatura
+150°C
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
50V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor