Transistor NPN MPSA64, TO-92, 0.5A, TO-92, 30 v

Transistor NPN MPSA64, TO-92, 0.5A, TO-92, 30 v

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Transistor NPN MPSA64, TO-92, 0.5A, TO-92, 30 v. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 0.5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. BE diodo: não. Corrente do coletor Ic [A]: 500mA. Diodo CE: não. Dissipação de energia: 0.625W. FT: 125 MHz. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 5000. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Polaridade: bipolar. Quantidade por caixa: 2. RoHS: sim. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 30V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tipo de transistor: PNP. Transistor Darlington?: sim. Vcbo: 30 v. Vebo: 10V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 22:19

Documentação técnica (PDF)
MPSA64
26 parâmetros
Carcaça
TO-92
Corrente do coletor
0.5A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão do coletor/emissor Vceo
30 v
BE diodo
não
Corrente do coletor Ic [A]
500mA
Diodo CE
não
Dissipação de energia
0.625W
FT
125 MHz
Ganho máximo de hFE
20000
Ganho mínimo de hFE
5000
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.625W
Polaridade
bipolar
Quantidade por caixa
2
RoHS
sim
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
30V
Tensão de saturação VCE(sat)
1.5V
Tipo de transistor
PNP
Transistor Darlington?
sim
Vcbo
30 v
Vebo
10V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor