Transistor NPN MPSA56, TO-92, 0.5A, TO-92AMMO, 80V

Transistor NPN MPSA56, TO-92, 0.5A, TO-92AMMO, 80V

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Transistor NPN MPSA56, TO-92, 0.5A, TO-92AMMO, 80V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 0.5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92AMMO. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: não. Corrente do coletor Ic [A]: 0.5A. Diodo CE: não. Embalagem: Ammo Pack. FT: 50 MHz. Frequência: 50MHz. Função: NF-TR. Ganhe hfe: 100. Ganho máximo de hFE: -. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 1A. Marcação do fabricante: MPSA56. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Polaridade: bipolar. Potência: 0.625W. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) MPSA06. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.25V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Produto original do fabricante: Diotec Semiconductor. Quantidade mínima: 5. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 22:19

Documentação técnica (PDF)
MPSA56
29 parâmetros
Carcaça
TO-92
Corrente do coletor
0.5A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92AMMO
Tensão do coletor/emissor Vceo
80V
BE diodo
não
Corrente do coletor Ic [A]
0.5A
Diodo CE
não
Embalagem
Ammo Pack
FT
50 MHz
Frequência
50MHz
Função
NF-TR
Ganhe hfe
100
Ganho mínimo de hFE
100
Ic(pulso)
1A
Marcação do fabricante
MPSA56
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.625W
Polaridade
bipolar
Potência
0.625W
Quantidade por caixa
1
Spec info
transistor complementar (par) MPSA06
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
80V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
0.25V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
80V
Produto original do fabricante
Diotec Semiconductor
Quantidade mínima
5