Transistor NPN MPSA14, TO-92, 500mA, TO-92, 30 v

Transistor NPN MPSA14, TO-92, 500mA, TO-92, 30 v

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1-4
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5-49
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Transistor NPN MPSA14, TO-92, 500mA, TO-92, 30 v. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 500mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. BE diodo: não. Corrente do coletor Ic [A]: 500mA. Diodo CE: não. FT: 125 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 10000. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Polaridade: bipolar. Potência: 0.625W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: Transistor Darlington. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 30V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Tipo de transistor: NPN. Transistor Darlington?: sim. Vcbo: 30 v. Vebo: 10V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 22:19

MPSA14
28 parâmetros
Carcaça
TO-92
Corrente do coletor
500mA
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão do coletor/emissor Vceo
30 v
BE diodo
não
Corrente do coletor Ic [A]
500mA
Diodo CE
não
FT
125 MHz
Função
uso geral
Ganho máximo de hFE
20000
Ganho mínimo de hFE
10000
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.625W
Polaridade
bipolar
Potência
0.625W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Tecnologia
Transistor Darlington
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
30V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
1.5V
Tipo de transistor
NPN
Transistor Darlington?
sim
Vcbo
30 v
Vebo
10V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor