Transistor NPN MMBTA42, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V

Transistor NPN MMBTA42, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V

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Transistor NPN MMBTA42, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: não. Condicionamento: rolo. Diodo CE: não. FT: 50 MHz. Função: Transistor de amplificador de alta tensão (versão SMD do transistor MPSA42). Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Marcação na caixa: 1D. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: 1D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 240mW. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MMBTA92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tipo de transistor: NPN. Unidade de condicionamento: 3000. Vcbo: 300V. Vebo: 6V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:37

Documentação técnica (PDF)
MMBTA42
28 parâmetros
Corrente do coletor
0.5A
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão do coletor/emissor Vceo
300V
BE diodo
não
Condicionamento
rolo
Diodo CE
não
FT
50 MHz
Função
Transistor de amplificador de alta tensão (versão SMD do transistor MPSA42)
Ganho máximo de hFE
40
Ganho mínimo de hFE
25
Marcação na caixa
1D
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Nota
1D
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
240mW
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) MMBTA92
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.5V
Tipo de transistor
NPN
Unidade de condicionamento
3000
Vcbo
300V
Vebo
6V
Produto original do fabricante
Fairchild
Quantidade mínima
10

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