Transistor NPN MMBT5551, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: não. Condicionamento: rolo. Diodo CE: não. Equivalentes: MMBT5551LT1G. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 60. Marcação na caixa: G1. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD G1 (3S Fairchild). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tipo de transistor: NPN. Unidade de condicionamento: 3000. Vcbo: 180V. Vebo: 6V. Produto original do fabricante: Diotec Semiconductor. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:37