Transistor NPN MMBT5401LT1G, SOT-23, TO-236, 150V, 500mA

Transistor NPN MMBT5401LT1G, SOT-23, TO-236, 150V, 500mA

Quantidade
Preço unitário
1-99
0.17€
100-999
0.11€
1000-2999
0.0656€
3000+
0.0605€
Quantidade em estoque: 3622

Transistor NPN MMBT5401LT1G, SOT-23, TO-236, 150V, 500mA. Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 150V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Família de componentes: Transistor PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Marcação do fabricante: 2L. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C. Produto original do fabricante: Onsemi. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:50

Documentação técnica (PDF)
MMBT5401LT1G
13 parâmetros
Carcaça
SOT-23
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-236
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
150V
Corrente do coletor Ic [A], máx.
500mA
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Dissipação máxima Ptot [W]
0.225W
Família de componentes
Transistor PNP
Frequência de corte ft [MHz]
100 MHz
Marcação do fabricante
2L
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C
Produto original do fabricante
Onsemi