Transistor NPN MMBT5401, SOT-23 ( TO-236 ), 600mA, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 150V. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Corrente do coletor: 0.5A. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: não. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente do coletor Ic [A]: 0.6A. Custo): 6pF. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.250W. Equivalentes: MMBT5401LT1G. FT: 100 MHz. Família de componentes: Transistor PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 50. Marcação do fabricante: 2L. Marcação na caixa: 2 L. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Polaridade: bipolar. Potência: 350mW. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: impressão de tela/código SMD (código de data 2Lx). Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 150V. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tipo de transistor: NPN. Unidade de condicionamento: 3000. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: Diotec Semiconductor. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:37