Transistor NPN MMBT4403LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 0.6A, SOT-23 ( TO236 ), 40V

Transistor NPN MMBT4403LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 0.6A, SOT-23 ( TO236 ), 40V

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Transistor NPN MMBT4403LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 0.6A, SOT-23 ( TO236 ), 40V. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Corrente do coletor: 0.6A. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: não. Corrente do coletor Ic [A]: 0.6A. 600mA. Diodo CE: não. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 30. Marcação na caixa: 2T. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Polaridade: bipolar. Potência: 225mW. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: PNP. Unidade de condicionamento: 3000. Vcbo: 40V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:37

Documentação técnica (PDF)
MMBT4403LT1G
29 parâmetros
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Corrente do coletor
0.6A
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão do coletor/emissor Vceo
40V
BE diodo
não
Corrente do coletor Ic [A]
0.6A
Diodo CE
não
FT
200 MHz
Ganho máximo de hFE
300
Ganho mínimo de hFE
30
Marcação na caixa
2T
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.3W
Polaridade
bipolar
Potência
225mW
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
40V
Tensão de saturação VCE(sat)
0.4V
Tf(máx.)
30 ns
Tipo de transistor
PNP
Unidade de condicionamento
3000
Vcbo
40V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor
Quantidade mínima
10

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