Transistor NPN MMBT4401LT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V

Transistor NPN MMBT4401LT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V

Quantidade
Preço unitário
10-49
0.0354€
50-99
0.0297€
100+
0.0262€
Quantidade em estoque: 1003
Mín.: 10

Transistor NPN MMBT4401LT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: não. Condicionamento: rolo. Custo): 80pF. Diodo CE: não. FT: 250 MHz. Função: Transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 0.9A. Marcação na caixa: 2x. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código CMS 2X. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: NPN. Unidade de condicionamento: 3000. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:37

MMBT4401LT1G
30 parâmetros
Corrente do coletor
0.6A
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão do coletor/emissor Vceo
40V
BE diodo
não
Condicionamento
rolo
Custo)
80pF
Diodo CE
não
FT
250 MHz
Função
Transistor de comutação
Ganho máximo de hFE
300
Ganho mínimo de hFE
20
Ic(pulso)
0.9A
Marcação na caixa
2x
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
300mW
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
serigrafia/código CMS 2X
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.4V
Tf(máx.)
30 ns
Tipo de transistor
NPN
Unidade de condicionamento
3000
Vcbo
60V
Vebo
6V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor
Quantidade mínima
10