Transistor NPN MMBT3906LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236, 40V, 200mA, 200mA, SOT-23 ( TO236 ), 40V. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Corrente do coletor: 200mA. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: não. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente do coletor Ic [A]: 0.2A. Custo): 1.6pF. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. FT: 250 MHz. Família de componentes: Transistor PNP. Frequência de corte ft [MHz]: 250 MHz. Frequência: 250MHz. Função: UNI. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 800mA. Marcação do fabricante: 2A. Marcação na caixa: 2A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. Polaridade: bipolar. Potência: 300mW. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: SMD 2A. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tf(min): 35 ns. Tf(máx.): 75 ns. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:37