Transistor NPN MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V

Transistor NPN MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V

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Preço unitário
10-49
0.0403€
50-99
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100-199
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200+
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Transistor NPN MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Corrente do coletor: 0.2A. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: não. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente do coletor Ic [A]: 0.2A. Custo): 1.6pF. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. FT: 300 MHz. Família de componentes: transistor NPN. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Frequência: 300MHz. Função: UNI. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Marcação do fabricante: 1AM. Marcação na caixa: 1AM. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. Polaridade: bipolar. Potência: 300mW. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: SMD 1AM. Temperatura máxima: +150°C.. Tensão (colecionador - emissor): 40V. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:37

Documentação técnica (PDF)
MMBT3904LT1G
37 parâmetros
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Corrente do coletor Ic [A], máx.
200mA
Corrente do coletor
0.2A
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23
Tensão do coletor/emissor Vceo
60V
BE diodo
não
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-236
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente do coletor Ic [A]
0.2A
Custo)
1.6pF
Diodo CE
não
Dissipação máxima Ptot [W]
0.225W
FT
300 MHz
Família de componentes
transistor NPN
Frequência de corte ft [MHz]
300 MHz
Frequência
300MHz
Função
UNI
Ganho máximo de hFE
300
Ganho mínimo de hFE
100
Marcação do fabricante
1AM
Marcação na caixa
1AM
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.2W
Polaridade
bipolar
Potência
300mW
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
SMD 1AM
Temperatura máxima
+150°C.
Tensão (colecionador - emissor)
40V
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
40V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
40V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor
Quantidade mínima
10