Transistor NPN MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V

Transistor NPN MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V

Quantidade
Preço unitário
10-49
0.0299€
50-99
0.0253€
100+
0.0229€
Quantidade em estoque: 1009
Mín.: 10

Transistor NPN MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: não. Custo): 1.6pF. Diodo CE: não. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 1.2A. Marcação na caixa: 2F. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: SMD '2F'. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:37

Documentação técnica (PDF)
MMBT2907ALT1G
26 parâmetros
Corrente do coletor
0.6A
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão do coletor/emissor Vceo
60V
BE diodo
não
Custo)
1.6pF
Diodo CE
não
FT
200 MHz
Ganho máximo de hFE
300
Ganho mínimo de hFE
100
Ic(pulso)
1.2A
Marcação na caixa
2F
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
225mW
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
SMD '2F'
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.4V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor
Quantidade mínima
10